Kini Kini Gallium Nitride?

Gallium Nitride jẹ alakomeji III / V taara bandgap semikondokito ti o baamu daradara fun awọn transistors agbara giga ti o lagbara lati ṣiṣẹ ni awọn iwọn otutu giga. Lati awọn ọdun 1990, o ti lo ni lilopọ ni awọn diodes ti ntan ina (LED). Gallium nitride fun ina buluu ti a lo fun kika-disiki ni Blu-ray. Ni afikun, a lo glium nitride ninu awọn ẹrọ agbara semikondokito, awọn paati RF, awọn lesa, ati fotonu. Ni ọjọ iwaju, a yoo rii GaN ninu imọ ẹrọ sensọ.

Ni ọdun 2006, awọn transistors GaN-ipo imudara, nigbakan tọka si bi GaN FETs, bẹrẹ ni iṣelọpọ nipasẹ idagbasoke fẹlẹfẹlẹ ti GaN kan ti o fẹlẹfẹlẹ silikoni ti o fẹsẹmulẹ nipa lilo ifasita iru kẹmika ti irin (MOCVD). Layer AIN n ṣiṣẹ bi ifipamọ laarin sobusitireti ati GaN.
Ilana tuntun yii mu awọn transistors gallium nitride ṣiṣẹ lati ṣe iṣelọpọ ni awọn ile-iṣẹ kanna ti o wa tẹlẹ bi ohun alumọni, ni lilo awọn ilana iṣelọpọ kanna. Nipa lilo ilana ti a mọ, eyi ngbanilaaye fun iru, awọn idiyele iṣelọpọ kekere ati dinku idiwọ si igbasilẹ fun awọn transistors kekere pẹlu iṣẹ ilọsiwaju pupọ.

Lati ṣalaye siwaju, gbogbo awọn ohun elo semikondokito ni ohun ti a pe ni bandgap. Eyi jẹ ibiti o ni agbara ni ri to nibiti ko si awọn elekitironi le wa. Ni kukuru, bandgap ni ibatan si bii ohun elo to lagbara le ṣe ina ina. Gallium nitride ni bandgap 3.4 eV, ni akawe si silikoni 1.12 eV bandgap. Aafo iye gbooro Gallium nitride tumọ si pe o le ṣe atilẹyin awọn iwọn giga ati awọn iwọn otutu ti o ga ju awọn ohun alumọni MOSFET lọ. Bandgap jakejado yii n jẹ ki nitride gallium ṣee lo si agbara giga optoelectronic ati awọn ẹrọ igbohunsafẹfẹ giga.

Agbara lati ṣiṣẹ ni awọn iwọn otutu ti o ga julọ ati awọn folti ju awọn transistors gallium arsenide (GaAs) tun jẹ ki awọn amplifiers agbara gallium nitride dara julọ fun makirowefu ati awọn ẹrọ terahertz (ThZ), gẹgẹ bi aworan ati imọ, ọja iwaju ti a darukọ loke. Imọ-ẹrọ GaN wa nibi o ṣe ileri lati ṣe ohun gbogbo dara julọ.

 


Akoko ifiweranṣẹ: Oṣu Kẹwa-14-2020